ルネサスが次世代の窒化ガリウム半導体「GaN」技術を取得！

https://news.yahoo.co.jp/articles/d7cb1fae2a1f45dfb82b1e9d8b63b401dd0d442b

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1/14(日) 13:10配信

米社買収

ルネサスの柴田英利社長（右）とトランスフォームのプリミット・パリーク社長

ルネサスエレクトロニクスは次世代半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いたパワー半導体を設計・製造する米トランスフォームを約3億3900万ドル（約492億円）で買収する。子会社を通じ、発行済み普通株式をすべて取得する。GaNの技術をパワー半導体事業に組み込み、電気自動車（EV）のほか、人工知能（AI）やデータセンター、再生可能エネルギー向けなど拡大する市場への取り組みを強化する。 【写真】ルネサスが開発したスゴい「インバーターキット」 買収は株主や規制当局の承認などを経て、2024年7―12月に完了する見込み。トランスフォームの1月10日付の終値に約35％のプレミアムをつけた1株あたり5・1ドルで買収する。 GaN半導体は電力損失が低く、スイッチング性能も高いため、搭載するデバイスの高効率化・小型化が期待できる。ルネサスの柴田英利社長は「成長の柱の一つであるパワー半導体のポートフォリオを強化・拡大する」とコメントしている。

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最終更新:1/14(日) 13:10

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