先端半導体、ASMLの技術が無くて、比較的低い技術でも半導体製造可能へ－ファーウェイが特許申請 2024/03/22(金) 23:12配信

https://news.yahoo.co.jp/articles/baa132517fb9f9e3086e55cfdf2e7740264cf570?page=1

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Bloomberg

A chip from a Huawei Technologies Co. Mate X5 smartphone. Photographer: James Park/Bloomberg

（ブルームバーグ）： 中国の通信機器大手、華為技術（ファーウェイ）は国内の半導体協業相手と共同で、先端半導体の製造方法を特許申請した。比較的低い技術で効率的に先端半導体を製造できる手法だという。米国による輸出規制にもかかわらず、中国が半導体製造能力を向上させていく可能性が広がる。

中国国家知識産権局に提出された申請書によると、両社が開発しているのは４倍の密度でパターンを形成する自己整合型クオドルプルパターニング（ＳＡＱＰ）と呼ばれる手法で、高度なリソグラフィー（露光）技術への依存低減につながり得る。オランダのＡＳＭＬホールディングが保有する最先端の極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置を使わなくても、先端半導体を製造できるようになるという。ＥＵＶ露光装置はＡＳＭＬにしか作れないが、輸出規制によって中国に売ることはできない。

22日に開示されたファーウェイの申請書には、ＳＡＱＰを用いて先端半導体を製造する手法が説明されている。「この特許を採用することで、回路パターンを設計する自由度が高まる」という。

ファーウェイと協業する国営の半導体製造装置開発会社、深圳市新凱来技術（ＳｉＣａｒｒｉｅｒ）は、2023年にＳＡＱＰに関連した技術特許を取得している。５ナノ（ナノは10億分の１）メートル半導体の技術要件を達成するための深紫外線（ＤＵＶ）露光装置や半導体製造装置、ＳＡＱＰ技術が、この特許で触れられている。ＥＵＶ露光装置を使わないことで製造コストを下げることが可能になるとしている。

調査会社テックインサイツのダン・ハッチソン副会長によれば、ＳＡＱＰは中国が５ナノ半導体を製造するには事足りるが、長期的にはＥＵＶ露光装置が必要になる。「ＥＵＶ露光装置がないという技術的問題を和らげることはできても、完全に克服することはできない」という。

台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）などの半導体トップ企業は、先端半導体の製造にＥＵＶ露光装置を使う。生産コストを最低限に抑えることができるからだ。ファーウェイと協業相手が代替手法で製造する場合、製造コストは業界標準を上回る可能性がある。

原題：Huawei Tests Brute-Force Method for Making More Advanced Chips（抜粋）

--取材協力：Jessica Sui.

(c)2024 Bloomberg L.P.

Yuan Gao, Debby Wu