https://news.yahoo.co.jp/articles/10818c74b9c4bd07c97698d580e3db265dd9a439
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配信
住友化学は次世代極端紫外線(EUV)露光装置向けフォトレジストを開発する。金属材料を使わず不純物が少ないのが特徴で、ナノメートル級(ナノは10億分の1)の回路形成に対応できる。2027年にも次世代装置に切り替わることを見据え、新たなフォトレジストを製品化し採用につなげる。次世代装置向けフォトレジストの世界シェアで30%の獲得を目指す。 【写真】フォトレジストの生産能力を増強する住友化学の拠点 次世代EUV露光装置は微細な回路パターンを描くため、光の利用効率が高い高NA(開口数)の技術を採用する。フォトレジストも微細化に対応できる性能が要求されている。 住友化学はフォトレジストを有機の低分子構造とすることで、より微細な回路形成にも対応できるようにする。金属材料を用いたフォトレジストは微細化に強みがある一方、不純物が混入するリスクがあるため、金属を使用しないフォトレジストを製品化する。 同社のEUV露光装置向けフォトレジストのシェアは10%程度とされる。次世代装置に対応した新製品を開発し、次世代装置に置き換わる27年度以降のタイミングで受注の獲得につなげ、シェアの拡大を図る考えだ。 同社は半導体関連を成長ドライバーに位置付け、中長期的には半導体の後工程向け材料にも力を入れる方針。すでに積層向けグルー(のり)の除去クリーナーで採用実績があるほか、放熱シート向け材料の開発なども想定する。30年度には半導体関連の売上高を23年度の1000億円強から3000億円弱に引き上げる。
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