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SiCパワー素子だけでなく、チップ埋め込み技術のような周辺技術の研究開発も進む（写真：日経クロステック）
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　炭化ケイ素（SiC）パワー半導体で存在感を高める中国勢に対し、日本や欧米の企業は実装やセンサーなど周辺技術を駆使して差異化を図る。小型化やコスト削減、信頼性向上で中国勢を引き離しにかかる。差異化の鍵となるのは、5つの技術領域だ。



SiCパワー素子でも新構造の提案が相次ぐ（出所：日経クロステック）
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