東芝デバイス＆ストレージは5月23日、同社グループ会社の加賀東芝エレクトロニクスにて2023年4月より建設を進めてきた、300mmウェハ対応パワー半導体の新製造棟および新事務所棟の竣工式を行ったことを発表した。

今回竣工したのは新製造棟の第1期分で、今後、装置の搬入を進め、2024年度下期より本格的な生産を開始する予定だとしている。新製造棟第1期分の製造ラインがフル稼働した場合、人工知能(AI)の活用などを通じた製品品質および生産効率の向上を進めていくことも踏まえ、低耐圧MOSFETならびにIGBTを中心とするパワー半導体の生産能力が、2021年度比で2.5倍に増強される見通しだという。製造棟は、地震の揺れを吸収する免震構造の採用や電源の2重化などを通じてBCP(事業継続計画)の強化が図られているほか、再生可能エネルギー由来の電力活用や、屋上への太陽光発電設備(オンサイトPPAモデル)の設置などにより、使用する電力を100％再生可能エネルギー由来でまかなうとしている。

なお、設備投資の一部には、経済産業省から「半導体の安定供給確保のための取組に関する計画(供給確保計画)」に基づく助成金の交付を受ける予定としているほか、第2期については、市場の動向を見ながら建屋の建設と稼働開始時期の決定を行うとしている。

  • 加賀東芝エレクトロニクスに建設された新製造棟

    加賀東芝エレクトロニクスに建設された新製造棟(右)、手前は新事務所棟 (出所:東芝デバイス＆ストレージ)