https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2024/10/press20241011-01-MRAM.html
【本学研究者情報】
〇電気通信研究所 所長・教授 羽生貴弘
国際集積エレクトロニクス研究開発センター センター長・教授 遠藤哲郎
国際集積エレクトロニクス研究開発センター 教授 池田正二
国際集積エレクトロニクス研究開発センター 教授 吉川 浩
電気通信研究所 准教授 夏井雅典
【概要】
NEDOは「省エネAI半導体及びシステムに関する技術開発事業」（以下、本事業）において、エッジ領域に適した半導体デバイスの早期実現を目指して、開発を進めています。このたび、国立大学法人東北大学と株式会社アイシンは、大容量MRAMを搭載したエッジ領域向け「CMOS／スピントロニクス融合AI半導体」により従来比10倍以上の電力効率をシステム動作シミュレーションで確認しました。磁気抵抗メモリ（MRAM）の不揮発性と広バス帯域の特性を活用し、大容量のMRAMを搭載して外付けメモリの合理的な内蔵化を図ることにより、動作時および待機時電力の大幅低減、起動時間の短縮が可能になります。RTLでのシステム動作シミュレーションの検証では、従来比で電力効率10倍以上、起動時間10分の1以下の改善効果を確認しました。今後は、車載やサーベイランス（監視）システムなどへの応用技術開発を進めます。
また、本事業の成果について、2024年10月15日から10月18日まで幕張メッセで開催される「CEATEC2024」のNEDOブースに展示します。
図1 設計した実証チップと本事業が目指す多様な社会実装
問い合わせ先
（研究に関すること）
東北大学電気通信研究所
教授 羽生貴弘
TEL: 022-217-5679
E-mail:takahiro.hanyu.c4*tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）
（報道に関すること）
東北大学電気通信研究所総務係
TEL：022-217-5420
E-mail： riec-somu*grp.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）
東北大学は持続可能な開発目標（SDGs）を支援しています
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