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　最先端半導体の生産に欠かせないEUV（極端紫外線）露光技術が次世代へとシフトしようとしている。光の利用効率の指標となる開口数（NA）を、現行の0.33から0.55へ高める「高NA」と呼ばれる技術がそれだ。

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　高NAのEUV露光は2nm世代以降の微細化に欠かせないとされ、2020年代の半ばから後半にかけて量産が始まる見通しだ。米Intel（インテル）は2023年末、世界初となる高NAのEUV露光装置をプロセス開発拠点に導入した。今後、台湾積体電路製造（TSMC）や韓国Samsung Electronics（サムスン電子）、Rapidus（ラピダス、東京・千代田）を含め、ファウンドリー（半導体受託生産）各社の競争の行方を左右する技術となるだろう。

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2023/12/15

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　インテルは米国オレゴン州ヒルズボロのプロセス開発拠点「ゴードン・ムーア・パーク（the Gordon Moore Park）キャンパス」にこの装置を導入し、まずは1.8nm世代相当のプロセス技術「Intel 18A」の開発に使うとみられる。2027年ごろの生産開始を目指す1.4nm世代相当の「Intel 14A」で量産導入する計画のようだ。現状では微細化でTSMCやサムスン電子に後れをとるインテルにとって、「2030年に世界2位のファウンドリーになる」という目標達成のカギを握るのが、高NAのEUV露光のスムーズな量産導入に他ならない。

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2024/02/28

　

　ドイツCarl Zeiss（カールツァイス）は2024年1月末、高NAのEUV露光装置の心臓部を担う光学系をASMLに供給したことを発表した。高NAのEUV露光による半導体チップの生産が2025年に始まるとの見通しを示している。

ドイツCarl Zeiss（カールツァイス）が高NAのEUV露光装置向けに供給する光学系（出所：Carl Zeiss）
ドイツCarl Zeiss（カールツァイス）が高NAのEUV露光装置向けに供給する光学系（出所：Carl Zeiss）
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