三菱電機がパワー半導体の技術開発を加速させている。自動車や鉄道向けに炭化ケイ素(SiC)を利用した新しいモジュール製品を、産業向けに新しい世代のシリコン(Si)IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を開発した。パワー半導体の基盤技術として高精度な寿命予測技術の研究にも取り組む。新技術を次々と投入することでパワー半導体事業の強化を図る。
2024年6月にドイツ・ニュルンベルクで開催した「PCIM Europe 2024」で、パワー半導体の新技術や新製品を相次いで発表した。その内容を5つのトピックに分けて紹介する。
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