福田昭のデバイス通信（459） 2022年度版実装技術ロードマップ（83）

今回からは「4.2 基板内蔵部品」の概要を解説する。

部品を基板に取り込む「基板内蔵部品」

　電子情報技術産業協会（JEITA）が3年ぶりに実装技術ロードマップを更新し、「2022年度版　実装技術ロードマップ」（書籍）を2022年7月に発行した。本コラムではロードマップの策定を担当したJEITA Jisso技術ロードマップ専門委員会の協力を得て、ロードマップの概要を本コラムの第377回からシリーズで紹介している。

　第448回からは、第4章「電子部品」の概要説明を始めた。この章は「4.1 SMD部品」と「4.2 基板内蔵部品」「4.3　コネクタ」の3つの節で構成される。前回までは「4.1 SMD部品」の概要をご報告してきた。今回からは「4.2 基板内蔵部品」の概要をご説明していく。

第4章「電子部品」の主な目次［クリックで拡大］出所：JEITA　Jisso技術ロードマップ専門委員会（2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド）

　「4.2 基板内蔵部品」は、以下の2つの項目によって構成される。「4.2.1　薄膜キャパシタ」と「4.2.2　シリコンキャパシタ」であり、いずれもコンデンサを基板に内蔵させる。コンデンサは、プリント基板やパッケージ基板などに数多く搭載されることが少なくない。このため、基板内蔵のニーズが強い。

大規模高性能プロセッサのパッケージ基板に薄膜キャパシタを内蔵

　「薄膜キャパシタ（TFCP：Thin Film Capacitor）」とは、プリント基板あるいはパッケージ基板に内蔵させることを目的とした、シート状のキャパシタである。厚みは50μm以下とかなり薄い。基本的な構造は「金属電極膜／高誘電体膜／金属電極膜（MIM：Metal Insulator Metal）」である。金属電極膜の形状を変更することで、目的とする静電容量を得るとともに、信号配線との干渉を避けられる。

　薄膜キャパシタの最有力用途は、大規模高性能プロセッサのパッケージ基板だ。従来、数多くのチップ型積層セラミックコンデンサ（MLCC）をパッケージ基板の表面やパッケージ基板の周囲に搭載してきた。電源ライン（電源電圧と接地電圧）の安定化（電源インピーダンスの極小化）が目的である。しかし搭載するMLCCの数は100個を超えるようになっており、実装レイアウトを難しくするとともに、実装面積の増加につながっている。薄膜キャパシタであれば、見かけ上はパッケージ基板と実装面積が変わらない。

「4.2.1　薄膜キャパシタ」の概要を示す図面。上はLSIの電源ライン（電源配線と接地配線）を模式した構造図と薄膜キャパシタの埋め込み位置。左端のDC-DCコンバータから生じた電源供給ラインは、コイル、平滑キャパシタ、デカップリングキャパシタを通じてLSIパッケージへと至る。LSIパッケージ基板に薄膜キャパシタを埋め込むことで、LSI用電源を安定化する。下左は薄膜キャパシタの主な仕様（詳しくは本文テキストに記述）。下右は薄膜キャパシタを内蔵した高速LSIパッケージ基板の断面観察図。多層パッケージ基板の数カ所（電源層と接地層の間）に薄膜キャパシタを埋め込んでいる［クリックで拡大］出所：JEITA　Jisso技術ロードマップ専門委員会（2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド）

　薄膜キャパシタの仕様は例えば静電容量（単位面積当たり）が1μF/cm²、誘電正接（tanδ）が0.1以下、動作電圧が4V、基板内蔵後の厚みが35μmというものだ。高誘電材料はチタン酸バリウム（BaTiO₃）、電極材料は一方が銅（Cu）、もう一方がニッケル（Ni）と銅（Cu）となっている。

⇒（次回に続く）

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